Normas de ensayo de fiabilidad de los componentes electrónicos

Hay muchos tipos de productos que necesitan pruebas de fiabilidad. Diferentes compañías tienen diferentes necesidades de prueba de acuerdo con sus necesidades.Entonces, ¿cuáles son los estándares de pruebas de fiabilidad y proyectos para componentes electrónicos en la mayoría de los casosVamos a echar un vistazo.

De acuerdo con el nivel de ensayo, se divide en las siguientes categorías:

1. artículos de prueba de vida

EFR: Prueba temprana de la tasa de fracaso

Objetivo: Evaluar la estabilidad del proceso, acelerar la tasa de fallas de defectos y eliminar los productos que fallan por razones naturales

Condiciones de ensayo: Aumentar dinámicamente la temperatura y el voltaje para probar el producto en un tiempo determinado

Mecanismo de falla: defectos de materiales o de procesos, incluidos los defectos causados por la producción, como defectos de la capa de óxido, revestimiento de metal, contaminación iónica, etc.

Norma de referencia:

Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.

Los Estados miembros deberán establecer un sistema de evaluación de los riesgos.

HTOL/LTOL: Vida útil a altas/bajas temperaturas

Objetivo: Evaluación de la resistencia del dispositivo bajo sobrecalentamiento y sobre tensión durante un período de tiempo.

Condiciones de ensayo: 125°C, 1.1VCC, ensayo dinámico

Mecanismo de falla: migración de electrones, agrietamiento de la capa de óxido, difusión mutua, inestabilidad, contaminación iónica, etc.

Datos de referencia:

Se garantiza el uso continuo del IC durante 4 años después de haber superado el ensayo de 1000 horas a 125 °C y 8 años después de haber superado el ensayo de 2000 horas; 8 años después de haber superado el ensayo de 1000 horas a 150 °C,y 28 años después de haber superado la prueba de 2000 horas

Método 1005 del MIT-STD-883E.8

II. Elementos de ensayo medioambiental

Pre-CON: Prueba de condiciones previas

Objetivo: Simulación de la durabilidad de los IC almacenados en determinadas condiciones de humedad y temperatura antes de su uso, es decir, la fiabilidad del almacenamiento de los IC desde la producción hasta su uso

THB: Prueba acelerada de humedad y sesgo a temperatura

Objetivo: Evaluar la resistencia de los productos IC a la humedad en condiciones de alta temperatura, humedad y sesgo y acelerar su proceso de falla

Condiciones de ensayo: 85°C, 85% de humedad, 1.1 VCC, sesgo estático

Mecanismo de falla: corrosión electrolítica

Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.

Los Estados miembros deberán establecer un marco para la evaluación de los riesgos.

Prueba de esfuerzo muy acelerada (HAST)

Objetivo: Evaluación de la resistencia de los productos de circuitos integrados a la humedad en condiciones de alta temperatura, humedad y presión, y aceleración de su proceso de falla.

Condiciones de ensayo: 130°C, 85% de humedad corporal, 1,1 VCC, sesgo estático, 2,3 atm

Mecanismo de falla: corrosión por ionización, sellado del envase

Se aplicarán las siguientes medidas:

PCT: ensayo de cocción a presión (ensayo en autoclave)

Objetivo: Evaluación de la resistencia de los productos de circuitos integrados a la humedad en condiciones de alta temperatura, humedad y presión, y aceleración de su proceso de falla

Condiciones de ensayo: 130°C, 85% de humedad, sesgo estático, 15PSIG (2 atm)

Mecanismo de falla: corrosión química del metal, sellado del envase

Se aplicarán las siguientes medidas:

Los Estados miembros deberán establecer un sistema de evaluación de los riesgos.

* El HAST difiere del THB en que la temperatura es más alta y el tiempo experimental puede acortarse teniendo en cuenta el factor de presión, mientras que el PCT no añade sesgo sino aumenta la humedad.

TCT: Prueba de ciclo de temperatura

Objetivo: Evaluación del rendimiento de contacto de la interfaz entre metales con diferentes coeficientes de expansión térmica en productos IC.El método consiste en cambiar repetidamente de temperatura alta a baja a través del aire circulante

Condiciones de ensayo:

Condición B: de 55°C a 125°C

Condición C: -65°C a 150°C

Mecanismo de fallo: fractura dieléctrica, fractura del conductor y del aislante, delaminación de las diferentes interfaces

Método 1010 del MIT-STD-883E.7

Se aplicarán las siguientes medidas:

EIAJED- 4701-B-131 Las autoridades competentes de los Estados miembros deberán: